① 電工題，為什麼U G S ＝－R S I D
靜態分析的時候（即信號源ui ＝0），柵極電阻RG 沒有電流，這是關鍵。
柵極電阻RG的作用是使柵極與地之間存在直流通路，並可泄漏柵極可能出現的感應電荷，使柵極不會形成電荷積累而損壞管子。由於柵檄電阻RG沒有電流，因此柵極電壓UG＝0，而耗盡型場效應管即使在UG＝0時，也有漏極電流流過源極電阻RS，使得源極電壓US＝ID*RS，所以柵源之間將有負柵壓產生，即：UGS＝VG - VS＝0 - ID*RS
★ 補充一點基本知識：場效晶體管使用注意事項
(1)結型場效晶體管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效晶體管在不使用時，由於它的輸入電阻非常高，需將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。
(2)焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由於電烙鐵帶電而損壞管子。對於少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱後拔下插頭或切斷電源後焊接。特別在焊接絕緣柵型場效晶體管時，要按源極→漏極→柵極的先後順序焊接，並且要斷電焊接。
(3)結型場效晶體管可用萬用表電阻擋定性地檢查管子的質量(檢查各PN結的正、反向電阻及漏、源極之間的電阻值)，而絕緣柵型場效晶體管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，並且要在接入測試儀後才能去掉各電極短路線。測量完畢取下管子時，則應先短路再取下，關鍵在於避免柵極懸空。
② 場效應管的焊接事項
（1）為了安全地使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率。最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。
（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓P溝道管柵極不能加負偏壓等等。
（3）MOS場效應管由於輸人阻抗極高，所以，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內同時也要注意管的防潮。
（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地管腳在焊接時，先焊源極；在連人電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態『焊接完後才把短接材科去掉從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如採用接地環等；當然，如果能採用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應管是比較方便的，並且可確保安全在未關斷電源時，絕對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應管時必須注意。
（5）在安裝場效應管時。注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件：為了防止管件震動有必要將管殼體緊固起來管腳引線在彎曲時，應當在大於很部尺寸5mm處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等
（6）對於功率型場效應腎，要有良好的敞熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用。必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩定、可靠地工作。
③ 為什麼焊接前要先試焊
確保焊接過程穩定；另一方面，如果是焊條電弧焊尤其對焊接精度要求高比如小焊接件小焊縫，試焊一下可以熔化掉焊條葯皮露出焊芯，這樣起弧容易，操作更精確了
④ 場效應管在焊接的時候應先焊哪個極
用防靜電烙鐵焊哪個腳先沒關系，如果沒有防靜電烙鐵給普通烙鐵接地，不接地也不要緊，焊接時把烙鐵電源拔掉，實際上普通環境對場效應管就是個考驗，所以焊接時也沒那麼多禁忌。
⑤ 焊接電子元件的准確順序是什麼，就是先焊什麼再焊什麼
先焊緊固件接插件，再焊電阻電容，最後焊二、三極體及IC。
⑥ 工地焊接時應按什麼順序進行
根本減少焊接應力需要用振效設備超聲沖擊或者豪克能焊接應力消除設備消除焊接應力才能根本消除焊接應力防止焊接變形裂選擇山東華雲產品選擇
⑦ 場效應管的使用注意事項
MOS場效應管
即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect-Transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。
以N溝道為例，它是在P型硅襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極並使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大於管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。
國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。
MOS場效應管比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。下面介紹檢測方法。
1．准備工作
測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。
2．判定電極
將萬用表撥於R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據此很容易確定S極。
3．檢查放大能力（跨導）
將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然後用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。
目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極體，平時就不需要把各管腳短路了。
VMOS場效應管
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率晶體管之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由於漏極是從晶元的背面引出，所以ID不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最後垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型MOS場效應管。
國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六種VMOS管的主要參數。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。
下面介紹檢測VMOS管的方法。
1．判定柵極G
將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
2．判定源極S、漏極D
由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3．測量漏-源通態電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由於測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大於0.58W（典型值）。
4．檢查跨導
將萬用表置於R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。
（2）有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。
（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。
（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。
（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30W
場效應晶體管
場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、雜訊小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。
按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見附圖1。
MOS場效應晶體管使用注意事項。
MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由於輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：
1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝
2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成後在分開。
5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
6.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。
7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極體。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極體是否損壞。
場效應管的測試。
下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法：
3DJ型結型場效應管可看作一隻NPN型的晶體三極體，柵極G對應基極b，漏極D對應集電極c，源極S對應發射極e。所以只要像測量晶體三極體那樣測PN結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極，紅表筆分別接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是場效應管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極。對結型場效應管而言，漏極和源極可以互換。對於有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。
目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖2所示。
場效應晶體管的好壞的判斷。
先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Ω擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。
⑧ 管板焊接時應先哪側焊,後哪側焊
先焊那一側都可以，根據個人習慣，原則是先焊位置比較別扭的一側，後焊較容易一側，都是六點位置起焊，十二點位置結束
⑨ 在焊接晶體二極體或三極體時,通常用鑷子夾住晶體管的引線進行焊接,你知道為什
幫助散熱。避免焊接時熱量通過引線傳導到管子內部使溫度過高而損壞管子。並一般要求焊接時間不超過三秒。