Ⅰ 場效應管的使用注意事項
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET，具有很高的輸入電阻。它分為N溝道管和P溝道管，通常將襯底與源極連接。根據導電方式的不同，MOSFET分為增強型和耗盡型。N溝道MOSFET在P型硅襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區和漏擴散區，形成導電溝道。在使用過程中，MOS場效應管需要特別注意避免靜電積累，因為少量電荷就可能損壞管子。
MOSFET檢測方法包括：先將人體短路，確保與地等電位；確定柵極，通過測量確定柵極後，確認源極和漏極；檢查放大能力，通過觸摸柵極來檢測跨導；對於VMOS場效應管，同樣需要確認柵極，識別源極和漏極，並測量漏-源通態電阻。
VMOS場效應管具有耐壓高、工作電流大、輸出功率高等優點，廣泛應用於電壓放大器、功率放大器、開關電源和逆變器中。VMOS管分為N溝道和P溝道，檢測方法與MOSFET類似，但需注意柵極的不同位置。
使用VMOS場效應管時需注意加散熱器，以確保最大功率輸出。結型場效應管和MOS場效應管各有特點，結型場效應管為耗盡型，而MOS場效應管分為耗盡型和增強型。
測試MOS場效應晶體管時，應先確定柵極，通過測量確定柵極後，確認源極和漏極；檢查放大能力，通過觸摸柵極來檢測跨導。測試結型場效應管時，可以將其視為一隻NPN型晶體三極體，通過測量PN結的正、反向電阻來確定柵極和漏極。
總之，使用MOS場效應管和VMOS場效應管時，需要特別注意靜電防護和正確焊接順序。同時，確保使用適當的散熱措施，以避免管子過熱損壞。