焊縫襯底都有什麼材料

Ⅰ 什麼叫藍寶石襯底材料

藍寶石襯底材料是一種用於LED晶元襯底的材料，藍寶石的穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；最後，藍寶石的機械強度高，易於處理和清洗。因此，大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。

相關介紹：

傳統的LED晶元採用正裝結構，上面通常塗敷一層環氧樹脂，下面以藍寶石作為襯底。一方面,由於藍寶石的導熱性較差，有源層產生的熱量不能及時地釋放，而且藍寶石襯底會吸收有源區的光線,即使增加金屬反射層也無法完全解決吸收的問題。

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2001年，LumiLeds研製出了AIGalnN功率型倒裝晶元結構，LED晶元通過凸點倒裝連接到硅基上。這樣大功率LED產生的熱量不必經由晶元的藍寶石襯底，而是直接傳到熱導率更高的硅或陶瓷襯底，再傳到金屬底座，由於其有源發熱區更接近於散熱體，可降低內部熱沉熱阻。

由SemiLedS研發的以藍寶石為襯底的垂直結構GaN基LED晶元從2005年11月開始進入市場。製造垂直結構LED晶元有兩種基本方法，剝離生長襯底和不剝離生長襯底。

對於製作LED晶元來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。

Ⅱ 襯底的材料選用

對於製作LED晶元來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。
目前市面上一般有三種材料可作為襯底：
·藍寶石（Al2O3）
·硅(Si)
·碳化硅（SiC）
藍寶石襯底通常，GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優點：首先，藍寶石襯底的生產技術成熟、器件質量較好；其次，藍寶石的穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；最後，藍寶石的機械強度高，易於處理和清洗。因此，大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。圖1示例了使用藍寶石襯底做成的LED晶元。圖1藍寶石作為襯底的LED晶元使用藍寶石作為襯底也存在一些問題，例如晶格失配和熱應力失配，這會在外延層中產生大量缺陷，同時給後續的器件加工工藝造成困難。藍寶石是一種絕緣體，常溫下的電阻率大於1011Ω·cm，在這種情況下無法製作垂直結構的器件；通常只在外延層上表面製作n型和p型電極（如圖1所示）。在上表面製作兩個電極，造成了有效發光面積減少，同時增加了器件製造中的光刻和刻蝕工藝過程，結果使材料利用率降低、成本增加。由於P型GaN摻雜困難，當前普遍採用在p型GaN上制備金屬透明電極的方法，使電流擴散，以達到均勻發光的目的。但是金屬透明電極一般要吸收約30%~40%的光，同時GaN基材料的化學性能穩定、機械強度較高，不容易對其進行刻蝕，因此在刻蝕過程中需要較好的設備，這將會增加生產成本。藍寶石的硬度非常高，在自然材料中其硬度僅次於金剛石，但是在LED器件的製作過程中卻需要對它進行減薄和切割（從400nm減到100nm左右）。添置完成減薄和切割工藝的設備又要增加一筆較大的投資。藍寶石的導熱性能不是很好（在100℃約為25W/（m·K））。因此在使用LED器件時，會傳導出大量的熱量；特別是對面積較大的大功率器件，導熱性能是一個非常重要的考慮因素。為了克服以上困難，很多人試圖將GaN光電器件直接生長在硅襯底上，從而改善導熱和導電性能。
硅襯底目前有部分LED晶元採用硅襯底。硅襯底的晶元電極可採用兩種接觸方式，分別是L接觸（Laterial-contact,水平接觸）和V接觸（Vertical-contact，垂直接觸），以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式，LED晶元內部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由於電流可以縱向流動，因此增大了LED的發光面積，從而提高了LED的出光效率。因為硅是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化硅襯底碳化硅襯底（美國的CREE公司專門採用SiC材料作為襯底）的LED晶元電極是L型電極，電流是縱向流動的。採用這種襯底製作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。採用碳化硅襯底的LED晶元如圖2所示。圖2採用藍寶石襯底與碳化硅襯底的LED晶元碳化硅襯底的導熱性能（碳化硅的導熱系數為490W/(m·K)）要比藍寶石襯底高出10倍以上。藍寶石本身是熱的不良導體，並且在製作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的晶元電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對於藍寶石襯底而言，碳化硅製造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。
三種襯底的性能比較前面的內容介紹的就是製作LED晶元常用的三種襯底材料。這三種襯底材料的綜合性能比較可參見表1。表1三種襯底材料的性能比較除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據設計的需要選擇使用。

Ⅲ 焊接中的襯墊都有哪些材料

在需要全熔透的焊縫, 而又無法雙面焊接的部位, 除了首選單面焊雙面成型技術專之外, 可以考慮用襯墊,
襯墊分永久性屬襯墊和非永久性兩種.
永久性襯墊材料要求與工件材質一致, 焊時襯墊與母材及焊健熔為一體了,
非永久性襯墊大多使用比較厚的紫銅墊板, 焊接完成後紫銅墊板可以取出.

Ⅳ LED襯底材料有哪些種類

目前市面上一般有三種材料可作為襯底：
·藍寶石（Al2O3）
·硅 (Si)
·碳化硅（SiC）
除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據設計的需要選擇使用。

Ⅳ 公司打算自己做焊縫的宏觀金相檢驗，請問都需要哪些材料，注意事項

試樣已經制備好了的情況下，你還需要
1、腐蝕溶液（普通鋼材與不銹鋼不回一樣的腐蝕液），答一般就是10%的硝酸水溶液，和Fecl3鹽酸水溶液或Cuso4溶液甚至王水。
2、吹風機
3、濾紙
4、相機
5、量尺
6、刷子、棉花。
安全注意事項就是注意防腐蝕液和刮傷。

Ⅵ LED晶元襯底材料有哪些

對於製作LED晶元來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。
目前市面上一般有三種材料可作為襯底： 藍寶石（Al2O3）、硅 (Si) 、碳化硅（SiC）
藍寶石襯底
通常，GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優點：首先， 藍寶石襯底的生產技術成熟、器件質量較好；其次，藍寶石的穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中；最後，藍寶石的機械強度高，易於處理和清洗。因此，大多 數工藝一般都以藍寶石作為襯底。圖1示例了使用藍寶石襯底做成的LED晶元。
硅襯底
目前有部分LED晶元採用硅襯底。硅襯底的晶元電極可採用兩種接觸方式，分別是L接觸（Laterial-contact , 水平接觸）和V接觸（Vertical-contact，垂直接觸），以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式，LED晶元內部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由於電流可以縱向流動，因此增大了LED的發光面積，從而提高了LED的出光效率。因為硅是熱的良導體，所以器件的導熱性 能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化硅襯底
碳化硅襯底（美國的CREE公司專門採用SiC材料作為襯底）的LED晶元電極是L型電極，電流是縱向流動的。採用這種襯底製作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。採用碳化硅襯底的LED芯碳化硅襯底的導熱性能（碳化硅的導熱系數為490W/(m·K)）要比藍寶石襯底高出10倍 以上。藍寶石本身是熱的不良導體，並且在製作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的晶元電極為L型，兩個電極分布在器 件的表面和底部，所產生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對 於藍寶石襯底而言，碳化硅製造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。

Ⅶ 鋼結構資料具體都包括什麼啊

鋼結構是由鋼制材料組成的結構，是主要的建築結構類型之一。結構主要由型鋼和鋼板等製成的梁鋼、鋼柱、鋼桁架等構件組成，並採用硅烷化、純錳磷化、水洗烘乾、鍍鋅等除銹防銹工藝。

鋼結構應研究高強度鋼材，大大提高其屈服點強度；此外要軋制新品種的型鋼，例如H型鋼（又稱寬翼緣型鋼）和T形鋼以及壓型鋼板等以適應大跨度結構和超高層建築的需要。

鋼材的特點是強度高、自重輕、整體剛度好、抵抗變形能力強，故用於建造大跨度和超高、超重型的建築物特別適宜；材料勻質性和各向同性好，屬理想彈性體，最符合一般工程力學的基本假定。

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發展歷程

中國雖然早期在鐵結構方面有卓越的成就，但長期停留於鐵制建築物的水平。直到19世紀末，我國才開始採用現代化鋼結構。新中國成立後，鋼結構的應用有了很大的發展，不論在數量上或質量上都遠遠超過了過去。

2008年前後，在奧運會的推動下，出現了鋼結構建築熱潮，強勁的市場需求，推動鋼結構建築迅猛發展，建成了一大批鋼結構場館、機場、車站和高層建築，其中，有的鋼結構建築在製作安裝技術方面具有世界一流水平，如奧運會國家體育場等建築。

奧運會後，鋼結構建築得到普及和持續發展，鋼結構廣泛應用到建築、鐵路、橋梁和住宅等方面，各種規模的鋼結構企業數以萬計，世界先進的鋼結構加工設備基本齊全，如多頭多維鑽床、鋼管多維相貫線切割機、波紋板自動焊接機床等。

Ⅷ 什麼是半導體的襯底

襯底是具有特定晶面和適當電學，光學和機械特性的用於生長外延層的潔凈單晶薄片。

化工學襯底最常見的為氮化物襯底材料等。氮化物襯底材料的研究與開發增大字體復位寬頻隙的GaN基半導體在短波長發光二極體、激光器和紫外探測器，以及高溫微電子器件方面顯示出廣闊的應用前景；對環保，其還是很適合於環保的材料體系。

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半導體的分類：

（1）按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。

除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

（2）按照其製造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。

此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

參考資料來源：網路-半導體

參考資料來源：網路-外延襯底

參考資料來源：網路-襯底

Ⅸ 1. 常用的製作PCB的材料(襯底和導線)有哪些

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