㈠ MOS管的D漏極和S源極之間連接電阻是起什麼作用
這個電阻影響G極電流，即其大小影響MOS管開關速度。同時枝族晌，此電猛鋒阻阻值也與MOS管振鈴現象有關。
再具穗運體的，你可以查下MOS管驅動電路的資料
㈡ Mos管D,S級短路,拆下,量D級 S級焊盤,這2點的焊盤也是短路,是怎麼回事
主要用萬用表量一下供電電路有沒有對地短路，另外主要檢查靠的近的焊盤之間有沒有短路。
㈢ 急！！關於微電的問題：MOS晶體管源端接VDD，一般下是什麼類型MOS管該管的漏端和源端哪一個電位更高
問題1,MOS晶體管源極S端接VDD時，一般情況下是P溝道類型MOS管；
問題2，該管的源極端S比漏極端D的電位更高；
MOS管有二種類型，一種是P溝道類型的MOS管，另一種是N溝道類型的MOS管，分析這二種MOS管漏端和源端電位高低，可以參照雙極PNP、NPN型普通三極體的導電電位分析。
分析方法如下：
不管是P溝道還是N溝道類型的MOS管都可以參照雙極PNP或者NPN三極體的三個電極分別理解，即P溝道或者N溝道類型的MOS管的柵極G相當雙極三極體的B極、源極端S相當雙極三極體的E極、漏極端D相當雙極三極體的C極；
P溝道及N溝道類型的MOS管的御悉租導電區別：
當P溝道類型的MOS管在電路工作時必須讓陸純源極端S電位接電路的高電位端，如同雙極PNP三極體的發射極E極接電源正極一樣，P溝道鎮兆類型的MOS管漏極端D一般接負載，當柵極端的電位變低時該管導通，將源極S端的高電位通過SD之間的跨導流向漏極端D，當柵極端的電位變高時該管截止；
N溝道類型的MOS管在電路工作時，必須讓漏極端D接電路的高電位端，如同雙極NPN三極體的集電極C極一樣接電源正極高電位端，N溝道類型的MOS管漏極端D也是接電源正極高電位端，當柵極端的電位變高時該管導通，當柵極端的電位變低時該管截止。
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㈣ MOS管的引腳，G、S、D分別代表什麼
G：gate
柵極；S：source
源極；D：drain
漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接碼顫在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel
MOS管，或NMOS。P-channel
MOS（PMOS）管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
(4)mos管D極空焊擴展閱讀
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconctor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
MOS管的source和drain是可以對調的，他們握茄都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端段模察對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
參考資料mos管_搜狗網路
㈤ MOS管D極和S極要短接一下才導通
1，線路設計是沒有問題的， 但是和蠢你漏了一個電阻，就唯模是在MOS管的S端應該有個
保護電阻，因為靠MOS過流內阻上指棚緩升到0.7V很難，所以電晶體保護就失去意義
2，你確定DS沒有接錯， D接燈，S接地
3，使用電表測量VGS（測量MOS管的腳）是否>5V？
6, 你電阻R28=5.1K， R27=474 ？ 是否是470K？
7，工作時候(燈亮)Vgs 的
電壓應該＝[蓄電池－1.4）×（R27/(R27+R28)]
電壓必須>5V
如果不是就是控制那個光耦（猜測）線路可能有些問題
以上如果使用的是IRF1404
㈥ MOS管的D漏極和S源極之間能連個電感嗎這么連的話起什麼作用
MOS管游大喚的定義：場效應管的結構是在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區域，用P+表示，形成兩個P+N結。N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。 把兩邊的P區引出電極並連在一起稱為柵極G。如果在漏、源極間加上正神凱向電壓，N區中的多子（也就是電子）可以導電。它們從源極S出發， 流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID.。由於導電溝道是N型的，故稱為N溝道結型場效應管。場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常製成對稱的，漏極和源極可以互換使用。但是有的絕緣柵場效應管在製造產品時已把源極和襯底連接仿缺在一起了，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。
㈦ p溝道的增強型mos管，d和s接電源，當g懸空，即g什麼都不接時，該mos管會工作嗎
有可能工纖跡坦作，並且很容易燒壞，因為mos管是電壓開啟型管子，基本不需要電流的，直接在漏源極接電源在高頻或者感擾較大的情況下，懸空的柵極很容易出現少量電荷低電州羨壓導通mos管，在這種狀態下mos工作在非全導通狀態，相當於電阻，發熱比較嚴重，達到一定溫度就冒煙或者炸管了。因此毀桐mos管的鉗位電阻是很有必要的。
㈧ MOS管應該怎麼焊接
1、電烙鐵應可靠接地，2、把所有腳用金屬絲捆起來（全部短路），焊完後取下。3、有條件觸摸器件也應帶防靜電手腕，手套
㈨ MOS管的G極與D極擊穿了是什麼原因呢
MOSFET的擊穿有哪幾種?
Source、Drain、Gate
場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G
(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)
先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然後掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：亮擾Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
1) Drain->Source穿通擊穿:
這個主要是Drain加反偏電壓後，使得Drain/Bulk的PN結耗盡區延慎顫展，當耗盡區碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?這就要回到二極體反偏特性了，耗盡區寬度除了與電壓有關，還與兩邊的摻雜濃度有關，濃度越高可以抑制耗盡區寬度延 展，所以flow裡面有個防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，記住它要打和well同type的specis。當然實際遇到WAT的BV跑了而且確定是從Source端走了，可能還要看是否 PolyCD或者Spacer寬度，或者LDD_IMP問題了，那如何排除呢?這就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通過Poly相關的WAT來驗證。對吧?
對於穿通擊穿，有以下一些特徵：
(1)穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中寬鍵敗，電流有逐步增大的特徵，這是因為耗盡層擴展較寬，產生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發生DIBL效應，使源襯底結正偏出現電流逐步增大的特徵。
(2)穿通擊穿的軟擊穿點發生在源漏的耗盡層相接時，此時源端的載流子注入到耗盡層中，
被耗盡層中的電場加速達到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當於源襯底PN結正向導通時的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。