1. 主板MOS管發熱太燙 導致主板過熱,我想把管焊下來上機箱上引線供電可以嗎
不行。每組MOS管的電壓和電流配置都不一樣,如果你能引入同樣的配比,那麼發熱還是相同,如果不能引入同樣配比,則主板和CPU不能正常運行。你的關鍵是機箱散熱不良,可在MOS管上加裝散熱片,在機箱內加裝排熱風扇,再換一個強大的能兼顧CPU周圍,主要是MOS管和北橋晶元散熱的下壓式CPU散熱器。
2. 一塊主板上的mos管,怎麼吹都吹不下來,怎麼辦
。。若溫度達到熔錫要求,吹一會用小起子撥動它一下,就可讓它脫離焊位了。
3. MOS管應該怎麼焊接
1、電烙鐵應可靠接地,2、把所有腳用金屬絲捆起來(全部短路),焊完後取下。3、有條件觸摸器件也應帶防靜電手腕,手套
4. 如何將電動車控制器里壞的mos管拿下來
用刮臉刀片焊在鋼鋸條上,用35W電烙鐵加熱,先燙G、S極邊燙邊插刀片,把G、S極分離後,給D極燙點錫以增加受熱面積,邊燙邊插刀片就取下來了,動作要快。
5. 電腦主板上mos管可以換嗎 有空位還可以繼續添加嗎mos管怎麼換 mos管型號怎麼看
當然可以換,但是沒必要,
主板上的Vcore的mos一般是30V,上橋60A,下橋90A
先用電烙鐵或者熱風槍把原來的mos焊下來,再把新的焊上去,很簡單,但是真的沒必要,除非壞了
6. 主板上的貼片mos管怎麼拆
比較難拆,需要用熱風槍吹,因為mos附近一般有大面積敷銅,需要用較高溫度和風量,另外還需要用鋁箔隔離電解電容,以防拆mos時受熱導致電容鼓包。
7. 大家來談談鐵殼mos管怎麼焊接
摩擦焊機--上海勝春機械
8. 怎樣才能拆下MOS管
加點助焊劑或是松香 然後緩慢旋轉均衡加熱 一般不用一分鍾都可以下的 我一般用3檔到4檔風 350到400度加熱 [ ]
9. MOS管焊接應注意哪些問題 貼片mos管焊接時應該注意哪些問題才不至於讓管子那麼容易擊穿呢管子各
MOS管焊接時,迴流焊和波峰焊當然不會有問題,用普通烙鐵焊接時,簡單注意幾個事情就可以保證MOS的安全。
1,MOS管的GS電阻一定要已經在電路上,當然這個GS電阻也可以是MOS管驅動電路裡面帶的,比如下圖,雖然電路沒有直接接在GS上,但是比接在GS上效果更好。
2,對於雙面板來說,直插的MOS管插入焊盤時,已經與焊盤和通孔發生接觸,不發生接觸的可能性非常小,所以此時焊接不會發生什麼問題,直接焊就可以,或者參照下面單面焊接方法。
3,對於單面板或者試驗板來說,MOS管的引腳並沒有與焊盤發生接觸,或者不接觸的可能性比較大,這時應該從焊盤開始焊,烙鐵不要接觸MOS引腳,而是接 觸焊盤,讓焊盤上的焊錫去接觸引腳,另外先焊G或者先焊SD無所謂,一般是先焊S,固定好後,再焊G.焊S和焊G時,要遵循同樣的原則。
4,對於貼片封裝,也同樣使用與3同樣的方法。
5,也可以用鑷子夾住MOS管的GS兩管腳,再焊接,待焊接完成後,再松開。夾的時候,鑷子要先接觸S,再接觸G。
總之MOS管是一個很嬌氣的器件,
即便能通過200A電流的MOS管,只要一點點靜電就能擊穿。
但是使用好了,卻一點也不嬌氣,與相關電路配合,就能發揮出最大能力。
10. 怎麼焊接晶元注意事項
晶元熱壓焊接工藝按內引線壓焊後的形狀不同分為兩種:
球焊(丁頭焊)和針腳焊。兩種焊接都需要分別對焊接晶元的金屬框架、空心劈刀進行加熱(前者溫度為 350~400℃,後者為150~250℃),並在劈刀上加適當的壓力。
首先,將穿過空心劈刀從下方伸出的金絲段用氫氧焰或高壓切割形成圓球,此球在劈刀下被壓在晶元上的鋁焊區焊接,利用此法進行焊接時,焊接面積較大,引線形變適度而且均勻,是較為理想的一種焊接形式。
隨後將劈刀抬起,把金絲拉到另一端(即在引線框架上對應於要相聯接的焊區),向下加壓進行焊接,所形成的焊點稱為針腳焊。
焊接晶元注意事項:
1、對於引線是鍍金銀處理的集成電路,只需用酒精擦拭引線即可。
2、對於事先將各引線短路的CMOS電路,焊接之前不能剪掉短路線,應在焊接之後剪掉。
3、工作人員應佩就防靜電手環在防靜電工作台上進行焊接操作,工作台應干凈整潔。
4、手持集成電路時,應持住集成電路的外封裝,不能接觸到引線。
5、焊接時,應選用20W的內熱式電烙鐵,而且電烙鐵必須可靠接地。
6、焊接時,每個引線的焊接時間不能超過4s,連續焊接時間不能超過10s。
7、要使用低熔點的釺劑,一般釺劑熔點不應超過150℃。
8、對於MOS管,安裝時應先S極,再G極最後D極的順序進行焊接。
9、安裝散熱片時應先用酒精擦拭安裝面,之後塗上一層硅膠,放平整之後安裝緊固螺釘。
10、直接將集成電路焊接到電路板上時,爆接順序為:地端→輸出端→電源端→輸入端的順序。
(10)如何把mos管焊下來擴展閱讀
晶元焊接工藝可分為兩類:
①低熔點合金焊接法:採用的焊接材料有金硅合金、金鎵合金、銦鉛銀合金、鉛錫銀合金等。
②粘合法:用低溫銀漿、銀泥、環氧樹脂或導電膠等以粘合方式焊接晶元。
集成電路塑料封裝中,也常採用低溫(200℃以下)銀漿、銀泥或導電膠以粘合的形式進行晶元焊接。另外,燒結時(即晶元粘完銀漿後烘焙),氣氛和溫度視所採用的銀漿種類不同而定。
低溫銀漿多在空氣中燒結,溫度為150~250℃;高溫銀漿採用氮氣保護,燒結溫度為380~400℃。