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DDR如何焊接

发布时间:2024-05-15 16:13:25

Ⅰ 内存的封装方式主要有

DIMM(双列直插存储模块)和SIMM相似,只是体积稍大。不同处在于SIMM的部分引脚前后连接在一起,而DIMM的每个引脚都是分开的,所以在电气性能上有较大改观,而且这样可以不用把模块做得很大就可以容纳更多的针脚,从而容易得到更大容量的RAM。

RIMM(Rambus直插式存储模块)其外形有点像DIMM,只是体积要大一点,性能更好,但价格昂贵,发热量较大。为了解决发热问题,模块上都有一个很长的散热片。

现在我们再回过头来看看内存颗粒的封装。
DIP
早期的内存颗粒也采用DIP(Dual In-line Package双列直插式封装),这种封装的外形呈长方形,针脚从长边引出,由于针脚数量少(一般为8~64针),且抗干扰能力极弱,加上体积比较“庞大”,所以DIP封装如昙花一现。

SIP
SIP(Single In-line Package单列直插封装)只从单边引出针脚,直接插入PCB板中,其封装和DIP大同小异。其吸引人之处在于只占据很少的电路板面积,然而在某些体系中,封闭式的电路板限制了SIP封装的高度和应用。加上没有足够的引脚,性能不能令人满意,很快退出了市场。

SOJ
从SOJ(Small Out-Line J-Lead小尺寸J形引脚封装)中伸出的引脚有点像DIP的引脚,但不同的是其引脚呈“J”形弯曲地排列在芯片底部四周,必须配合专门为SOJ设计的插座使用。

TSOP
在1980年代出现的TSOP封装(Thin Small Outline Package薄型小尺寸封装),由于更适合高频使用,以较强的可操作性和较高的可靠性征服了业界。TSOP的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP内存封装的外形呈长方形,且封装芯片的周围都有I/O引脚。例如SDRAM内存颗粒的两侧都有引脚,而SGRAM内存颗粒的四边都有引脚,所以体积相对较大。在TSOP封装方式中,内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板上的,焊点和PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB板传热相对困难。

Tiny-BGA

Tiny-BGA(Tiny Ball Grid Array小型球栅阵列封装)是由 Kingmax推出的封装方式。由于Tiny-BGA封装减少了芯片的面积,可以看成是超小型的BGA封装。Tiny-BGA封装比起传统的封装技术有三大进步:更大的容量(在电路板上可以安放更多的内存颗粒);更好的电气性能(因为芯片与底板连接的路径更短,减小了电磁干扰的噪音,能适合更高的工作频率);更好的散热性能(内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上,由于焊点和PCB板的接触面积较大,所以内存颗粒在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去)。
mBGA

mBGA(Micro Ball Grid Array微型球栅阵列封装)可以说是BGA的改进版,封装呈正方形,内存颗粒的实际占用面积比较小。由于采用这种封装方式内存颗粒的针脚都在芯片下部,连接短、电气性能好、也不易受干扰。这种封装技术会带来更好的散热及超频性能,尤其适合工作于高频状态下的Direct RDRAM,但制造成本极高,目前主要用于Direct RDRAM。
CSP

CSP(Chip Scale Package芯片级封装)是一种新的封装方式。在BGA、TSOP的基础上,CSP封装的性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1∶1.14,接近1∶1的理想情况,绝对尺寸也仅有32平方毫米,约为普通的BGA的1/3,相当于TSOP内存颗粒面积的1/6。这样在相同体积下,内存条可以装入更多的内存颗粒,从而增大单条容量。也就是说,与BGA封装相比,同等空间下CSP封装可以将存储容量提高3倍。而且,CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热还可以从背面散热,且散热效率良好。同时由于JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子设备工程联合委员会)制定的DDRⅡ技术规范,加上TSOP-Ⅱ封装会在DDRⅡ成为市场主流时彻底退出市场,所以CSP的改良型WLCSP将会担当起新的封装大任。同时WLCSP有着比CSP更为贴近芯片尺寸的封装方法,在晶圆上就做好了封装布线,因此在可靠性方面达到了更高的水平。

Ⅱ 楂樻墜璇疯繘锛屽叧浜庡唴瀛樼剨姝荤殑闂棰

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