場效應管先焊哪個腳

❶ 請教場效應管的簡單接法

舉例說明，左圖為N溝道場效應管（型號IRF630），右圖為P溝道場效應管（型號IRF9640），電源電壓12V，具體到你這個電路中，圖中電阻等元件可以根據實際電路更換相關阻值，從圖中你可以初步了解場效應管做開關電路的接法。

2，P溝道MOSFET管用法：（柵極G高電平D與S間截止，柵極G低電平D與S間導通）

柵極/基極(G)接控制信號，源極(S)接負載電源正極，漏極(D)接負載輸入正極，負載輸出負極直接接負載電源負極（模擬地）。

當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）1.2V以上時，源極(S)到漏極(D)導通，導通電流很小，可以認為源極(S)和漏極(D)直接短接。

這樣負載正極被連通負載電源正極，負載工作。當柵極/基極(G)電壓小於源極(S)電壓（負載電源電壓）不足1.2V，或柵極/基極(G)電壓大於等於源極(S)電壓時，源極(S)到漏極(D)電阻極大，可以認為源極(S)到漏極(D)斷路，則負載不工作。

MOSFET場效應管做為快速開關元件的用法就簡單說到這里，復雜理論咱不說它，知道怎麼用就行了。如果僅僅是作為電子開關使用，也可以簡單用三極體代替MOSFET管，只不過三極體的效率、開關速度、開關可靠性遠不如MOSFET管。

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工作原理

場效應管工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。

在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過渡層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。

其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

❷ 請問640場效應管原理圖和實物圖三個腳如何對應！我需要焊接上去！

640場效應管原理圖（如圖1所示）中的柵極g對應640場效應管實物圖（如果所示2）中最左邊的管腳；

640場效應管原理圖（如圖1所示）中的漏極d對應640場效應管實物圖（如果所示2）的中間的管腳；

640場效應管原理圖（如圖1所示）中的源極s對應640場效應管實物圖（如果所示2）中最右邊的管腳。

圖2：640場效應管實物圖

❸ 場效應管的注意事項

（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。
（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏
壓，等等。（3）MOS場效應管由於輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放入塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。
（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完後才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如採用接地環等；當然，如果能採用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，並且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。
（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大於根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。
（6）使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30W。
(7）多管並聯後，由於極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振盪。為此，並聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振盪電阻。
（8）結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由於它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。
（9）焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由於電烙鐵帶電而損壞管子。對於少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱後拔下插頭或切斷電源後焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先後順序焊接，並且要斷電焊接。
（10）用25W電烙鐵焊接時應迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結型場效應管可用表電阻檔定性地檢查管子的質量（檢查各PN結的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場效管不能用萬用表檢查，必須用測試儀，而且要在接入測試儀後才能去掉各電極短路線。取下時，則應先短路再取下，關鍵在於避免柵極懸空。
在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須採取防潮措施，以免由於溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應注意避光使用。
對於功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。
總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，採取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，採取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

❹ 場效應管 使用原則

MOS場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconctor Field-Effect-Transistor），屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS後，多數載流子被吸引到柵極，從而「增強」了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而「耗盡」了載流子，使管子轉向截止。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上製成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極並使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大於管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。

國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。

MOS場效應管比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，並採取相應的防靜電感措施。下面介紹檢測方法。

1．准備工作

測量之前，先把人體對地短路後，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然後拆掉導線。

2．判定電極

將萬用表撥於R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據此很容易確定S極。

3．檢查放大能力（跨導）

將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然後用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。

目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極體，平時就不需要把各管腳短路了。

VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由於它將電子管與功率晶體管之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處於同一水平面的晶元上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極採用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由於漏極是從晶元的背面引出，所以ID不是沿晶元水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最後垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由於在柵極與晶元之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型MOS場效應管。

國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六種VMOS管的主要參數。其中，IRFPC50的外型如圖3所示。

下面介紹檢測VMOS管的方法。

1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，並且交換表筆後仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測量漏-源通態電阻RDS（on）

將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由於測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一隻IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大於0.58W（典型值）。

4．檢查跨導

將萬用表置於R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬於N溝道管。對於P溝道管，測量時應交換表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間並有保護二極體，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三隻，構成三相橋式結構。

（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用於高速開關電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器後。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器後，最大功率才能達到30W
場效應晶體管

場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、雜訊小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。

按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見附圖1。

MOS場效應晶體管使用注意事項。

MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由於輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：

1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。

3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成後在分開。

5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。

6.電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。

7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極體。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極體是否損壞。

場效應管的測試。

下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法：

3DJ型結型場效應管可看作一隻NPN型的晶體三極體，柵極G對應基極b，漏極D對應集電極c，源極S對應發射極e。所以只要像測量晶體三極體那樣測PN結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極，紅表筆分別接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是場效應管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極。對結型場效應管而言，漏極和源極可以互換。對於有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖2所示。

場效應晶體管的好壞的判斷。

先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Ω擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。

❺ 場效應管的焊接事項

（1）為了安全地使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率。最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。
（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結。N溝道管柵極不能加正偏壓P溝道管柵極不能加負偏壓等等。
（3）MOS場效應管由於輸人阻抗極高，所以，在運輸、貯藏中必須將引出腳短路。要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內同時也要注意管的防潮。
（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作台、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地管腳在焊接時，先焊源極；在連人電路之前。管的全部引線端保持互相短接的狀態『焊接完後才把短接材科去掉從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如採用接地環等；當然，如果能採用先進的氣熱型電烙鐵焊接場效應管是比較方便的，並且可確保安全在未關斷電源時，絕對不可以把管插入電路或從電路中拔出。以上的安全措施在使用場效應管時必須注意。
（5）在安裝場效應管時。注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件：為了防止管件震動有必要將管殼體緊固起來管腳引線在彎曲時，應當在大於很部尺寸5mm處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等
（6）對於功率型場效應腎，要有良好的敞熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用。必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過其額定值。使器件長期、穩定、可靠地工作。

❻ 各位大哥們！場效應管IRF9540的管腳排列順序是怎樣的

有字的一面對著自己，散熱片那邊是背面，三隻腳（或者兩只腳）朝下，從左邊依次是G D S排列，其中D腳和散熱片是連在一起的

❼ 場效應管焊接是否很容易燒壞焊接時如何操作才不容易壞

1.MOS是很容易壞
2.焊接時把你的電烙鐵外殼接地，如果沒法接地就先把烙鐵燒熱，拔掉插頭用余熱焊。先焊其他元件，MOS管留到最後再焊。焊MOS之前用導電的銅絲把三個管腳短接，焊完再拿掉銅絲

❽ 場效應管在焊接的時候應先焊哪個極

用防靜電烙鐵焊哪個腳先沒關系，如果沒有防靜電烙鐵給普通烙鐵接地，不接地也不要緊，焊接時把烙鐵電源拔掉，實際上普通環境對場效應管就是個考驗，所以焊接時也沒那麼多禁忌。

❾ 場效應管最後焊哪個極，最好能完整告訴全部的先後順序

最安全的辦法是用細導線先將場效應管的三個引腳纏繞短路，這樣就不必考慮先焊接哪個腳了，三個引腳都焊接好後再將纏在三個引腳上的細線拆下即可。

❿ 誰能告訴我場效應管的焊接方法

1、將電烙鐵外殼接地，或使用帶PE線的電烙鐵；
2、電烙鐵加熱後斷開電源焊接；
3、將場效應管的引腳用細銅絲纏繞起來，焊接完成後再拆去銅絲；
4、先焊接PCB上的其它元件，最後焊接場效應管、集成電路等。