㈠ MOS管的D漏极和S源极之间连接电阻是起什么作用
这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时枝族晌，此电猛锋阻阻值也与MOS管振铃现象有关。
再具穗运体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料
㈡ Mos管D,S级短路,拆下,量D级 S级焊盘,这2点的焊盘也是短路,是怎么回事
主要用万用表量一下供电电路有没有对地短路，另外主要检查靠的近的焊盘之间有没有短路。
㈢ 急！！关于微电的问题：MOS晶体管源端接VDD，一般下是什么类型MOS管该管的漏端和源端哪一个电位更高
问题1,MOS晶体管源极S端接VDD时，一般情况下是P沟道类型MOS管；
问题2，该管的源极端S比漏极端D的电位更高；
MOS管有二种类型，一种是P沟道类型的MOS管，另一种是N沟道类型的MOS管，分析这二种MOS管漏端和源端电位高低，可以参照双极PNP、NPN型普通三极管的导电电位分析。
分析方法如下：
不管是P沟道还是N沟道类型的MOS管都可以参照双极PNP或者NPN三极管的三个电极分别理解，即P沟道或者N沟道类型的MOS管的栅极G相当双极三极管的B极、源极端S相当双极三极管的E极、漏极端D相当双极三极管的C极；
P沟道及N沟道类型的MOS管的御悉租导电区别：
当P沟道类型的MOS管在电路工作时必须让陆纯源极端S电位接电路的高电位端，如同双极PNP三极管的发射极E极接电源正极一样，P沟道镇兆类型的MOS管漏极端D一般接负载，当栅极端的电位变低时该管导通，将源极S端的高电位通过SD之间的跨导流向漏极端D，当栅极端的电位变高时该管截止；
N沟道类型的MOS管在电路工作时，必须让漏极端D接电路的高电位端，如同双极NPN三极管的集电极C极一样接电源正极高电位端，N沟道类型的MOS管漏极端D也是接电源正极高电位端，当栅极端的电位变高时该管导通，当栅极端的电位变低时该管截止。
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㈣ MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么
G：gate
栅极；S：source
源极；D：drain
漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接码颤在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
晶体管有N型channel所有它称为N-channel
MOS管，或NMOS。P-channel
MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
(4)mos管D极空焊扩展阅读
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们握茄都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端段模察对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
参考资料mos管_搜狗网络
㈤ MOS管D极和S极要短接一下才导通
1，线路设计是没有问题的， 但是和蠢你漏了一个电阻，就唯模是在MOS管的S端应该有个
保护电阻，因为靠MOS过流内阻上指棚缓升到0.7V很难，所以电晶体保护就失去意义
2，你确定DS没有接错， D接灯，S接地
3，使用电表测量VGS（测量MOS管的脚）是否>5V？
6, 你电阻R28=5.1K， R27=474 ？ 是否是470K？
7，工作时候(灯亮)Vgs 的
电压应该＝[蓄电池－1.4）×（R27/(R27+R28)]
电压必须>5V
如果不是就是控制那个光耦（猜测）线路可能有些问题
以上如果使用的是IRF1404
㈥ MOS管的D漏极和S源极之间能连个电感吗这么连的话起什么作用
MOS管游大唤的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正神凯向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发， 流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接仿缺在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。
㈦ p沟道的增强型mos管，d和s接电源，当g悬空，即g什么都不接时，该mos管会工作吗
有可能工纤迹坦作，并且很容易烧坏，因为mos管是电压开启型管子，基本不需要电流的，直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下，悬空的栅极很容易出现少量电荷低电州羡压导通mos管，在这种状态下mos工作在非全导通状态，相当于电阻，发热比较严重，达到一定温度就冒烟或者炸管了。因此毁桐mos管的钳位电阻是很有必要的。
㈧ MOS管应该怎么焊接
1、电烙铁应可靠接地，2、把所有脚用金属丝捆起来（全部短路），焊完后取下。3、有条件触摸器件也应带防静电手腕，手套
㈨ MOS管的G极与D极击穿了是什么原因呢
MOSFET的击穿有哪几种?
Source、Drain、Gate
场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G
(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)
先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：亮扰Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
1) Drain->Source穿通击穿:
这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延慎颤展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了 通路，所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两边的掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延 展，所以flow里面有个防穿通注入(APT: Anti Punch Through)，记住它要打和well同type的specis。当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source端走了，可能还要看是否 PolyCD或者Spacer宽度，或者LDD_IMP问题了，那如何排除呢?这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通过Poly相关的WAT来验证。对吧?
对于穿通击穿，有以下一些特征：
(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中宽键败，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。
(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，
被耗尽层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。