晶體三極體超聲印波壓焊台

㈠ 怎麼區分NPN型三極體和PNP型三極體

從結構上看，PNP型三極體的集電區和發射區是P型半導體，中間的基區是N型半導體，而NPN管的集電區和發射區是N型半導體，中間的基區是P型半導體。

從使用上看，PNP關工作時，發射極接高電壓，集電極接低電壓，而NPN管工作時，發射極接低電壓，集電極接高電壓。

㈡ 晶體三極體的原理

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
理論原理
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。
放大原理
1、發射區向基區發射電子
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。
3、集電區收集電子
由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。

㈢ 晶體三極體的主要特性是具有什麼作用

晶體三極體是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發射極接地），當基極電壓UB有一個微小的 晶體三極體變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電流IC也越大，反之，基極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多，這就是三極體的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三極體的放大倍數β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量。），三極體的放大倍數β一般在幾十到幾百倍。 三極體在放大信

號時，首先要進入導通狀態，即要先建立合適的靜態工作點，也叫建立偏置 ，否則會放大失真。 在

三極體的集電極與電源之間接一個電阻，可將電流放大轉換成電壓放大：當基極電壓UB升高時，IB變大，

IC也變大，IC 在集電極電阻RC的壓降也越大，所以三極體集電極電壓UC會降低，且UB越高，UC就越低，

ΔUC=ΔUB。

㈣ 晶體三極體主要性能是電流和電壓放大作用

三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
VMOS是在 MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管。
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。

㈤ 晶體三極體比場效應管的製造工藝為什麼簡單場效應管可以代替三極體使用嗎

場效應管的原件要比晶體管小得多。晶體管就是一個小矽片。但是場效應管的結構要比晶體管的要復雜。場效應管的溝道一般是幾個納米，也就是說場效應管的「矽片」的製作更加復雜而且體積要比晶體管小的多。但是話又說回來。工業製造場效應管的集成電路要比晶體管的要簡單得多。而且集成密度要比晶體管的要大得多。場效應管是電壓控制電流的晶體管是電流控制電流型的。一般不可以直接代換的。除非稍微改變一下電路結構。謝謝。至於結構可以找圖片在網路上。哦還有MOSFET就是場效應管的意思，簡稱MOS。而雙結型晶體管簡稱為BJT。結型場效應管簡稱為JFET。希望你可以用上。呵呵

㈥ 晶體三極體的特性

晶體管是半導體三極體中應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。

晶體管是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。
一、晶體管的種類

晶體管有多種分類方法。

（一）按半導體材料和極性分類

按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。

（二）按結構及製造工藝分類

晶體管按其結構及製造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。

（三）按電流容量分類

晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。

（四）按工作頻率分類

晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。

（五）按封裝結構分類

晶體管按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。

（六）按功能和用途分類

晶體管按功能和用途可分為低雜訊放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。

二、晶體管的主要參數

晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。

（一）電流放大系數

電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。

根據晶體管工作狀態的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。

1．直流電流放大系數 直流電流放大系數也稱靜態電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2．交流電流放大系數 交流電流放大系數也稱動態電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有區別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。

（二）耗散功率

耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。

耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。

通常將耗散功率PCM小於1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等於或大於1W、小於5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等於或大於5W的晶體管稱為大功率晶體管。

（三）頻率特性

晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。

晶體管的頻率特性參數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。

1．特徵頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。

通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的晶體管稱為中頻管。

2．最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。

通常，高頻晶體管的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。

（四）集電極最大電流ICM

集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。

（五）最大反向電壓

最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。

1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。

2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。

3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

（六）反向電流

晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。

1．集電極—基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。

2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

晶體管是半導體三極體中應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。晶體管是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。
三極體詳解半導體三極體也稱為晶體三極體，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關作用。三極體顧名思義具有三個電極。二極體是由一個PN結構成的，而三極體由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極體的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發射極（用字母e表示）。由於不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極體，另一種是PNP型的三極體。

㈦ 三極體的主要參數

三極體的主要參數：

特徵頻率：當f= fT時,三極體完全失去電流放大功能.如果工作頻率大於fT,電路將不正常工作。

fT稱作增益帶寬積，即fT=βfo。若已知當前三極體的工作頻率fo以及高頻電流放大倍數，便可得出特徵頻率fT。隨著工作頻率的升高，放大倍數會下降．fT也可以定義為β=1時的頻率。

電壓/電流：用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍。

hFE：電流放大倍數。

VCEO：集電極發射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時的飽和電壓。

PCM：最大允許耗散功率。

封裝形式：指定該管的外觀形狀,如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現。

(7)晶體三極體超聲印波壓焊台擴展閱讀：

電流放大的結構及原理：

1、電路結構

電流放大器電路拓撲結構可以為電壓、電流在第一象限的Buck 電路，也可以採用電流單向流動、電壓雙象限的H 橋式電路，也可以採用四象限H 橋式電路，其拓撲電路結構如圖2(a)～圖2(c)所示。這三種電路結構針對不同應用場合靈活選取。

2、基本原理

電流放大器採用輸出電流閉環控制，影響電流輸出響應速度的主要因素是阻感性負載的時間常數Te= L/RL，當此時間常數較大時，輸出電流響應難以提高。因此，提高電流放大器響應速度的主要措施就是減小被控對象的等效時間常數。

㈧ 什麼是電子三極體電子三極體與晶體三極體又有什麼區別

電子三極體是一種電子管，是「第一代三極體」。電子三極體是真空器件，有陰極、陽極、柵極三種電極，具有放大作用，柵極電壓的微小變化可以引發陽極電壓的巨大變化。在晶體三極體普及之前，電子三極體作為幾乎唯一一種功率放大器件，得到了非常廣泛的應用。

晶體三極體是一種半導體元件，現在所說的「三極體」就是指晶體三極體。晶體三極體具有放大作用，擁有基極、集電極、發射極三個電極，基極電流的變化會引發集電極電流更大的變化。與真空的電子三極體不同的是，晶體三極體是純固態元件，體積、成本、機械強度遠遠超過電子三極體。

電子管最早由愛迪生發明（但最終是由英國電氣工程師弗萊明於1905年開發成功），年代比較久遠。而晶體管則在1947年才誕生。在晶體管普及之前，電子管幾乎是放大電路和整流電路的唯一選擇，電子管的體積很大（一般和手的拇指差不多大），耗電很厲害（因為陰極需要維持一定的溫度，因此其耗散功率通常會大於1W），機械強度低（大部分電子管採用玻璃封裝，內抽真空，強烈振動會導致內部電極變形，甚至玻璃殼破裂），使用壽命短（一般在1000小時左右，使用條件較好可以獲得更長的壽命，但通常不會超過10000小時）。所有這些缺點恰恰就是晶體管的優點，很多晶體管的體積只有黃豆粒那麼大，隨著微電子技術的發展，現在晶體管的尺寸可以小於10nm（單位換算：1m=1000000000nm）；晶體管的功率可以低至μW級別（單位換算：1W=1000000μW）；晶體管沒有易碎或者可以變形的組件，可以承受很強的震動和沖擊；晶體管的使用壽命很長，通常大於20年，在正常工作情況下幾乎擁有無限壽命；成本低廉，大約只有電子管的千分之一。正是由於這些原因，三極體被推向市場後得到了非常廣泛的應用，並且很快成為了主流器件。上世紀70年代以後，晶體管鋪天蓋地的廣泛應用幾乎完全將電子管擠出市場，現在，除了少數特殊應用電路外，電子管已經完全淘汰，很難再尋覓它的痕跡。

下圖是幾種電子管：

㈨ 晶體三極體工作原理

三極體的電流放大原理
晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。 而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極體，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的 PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極。當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Ebo。
在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正確，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（控穴）很容易地截越過發射結構互相向反方各擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流Ie。由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補紀念給，從而形成了基極電流Ibo根據電流連續性原理得： Ie=Ib+Ic 這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--稱為直流放大倍數， 集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為： β= △Ic/△Ib 式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。